ccd传感器厂家-ccd传感器-台湾研新股份

cmos传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但ccd传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18v；因此，ccd传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power ic)，高驱动电压更使其功耗远高于cmos传感器的水平。举例来说，omnivision推出的ov7640(1/4英寸、vga)，ccd传感器，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mw；而致力于低功耗ccd传感器的sanyo公司推出的1/7英寸、cif等级的产品，其功耗却仍保持在90mw 以上。因此ccd---量比cmos大，不能长时间在阳光下工作。

ccd是电荷耦合器件(charge-coupled device)， 它使用一种高感光度的半导体材料（p-si）制成，能把光转变成电荷。在一个用于感光的ccd中，有一个光敏区域（硅的外延层），和一个由移位寄存器制成的传感区域。图像通过透镜投影在一列电容上（光敏区域），导致每一个电容都积累一定的电荷，而电荷的数量则正比于该处的入射光强。在栅电极（g）中，施加正电压会产生势阱（黄），并把电荷包（电子，蓝）收集于其中。